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DMN3135LVT
2.4
10
2
8
1.6
6
T A = 25 ° C
1.2
4
0.8
2
0.4
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1000
f = 1MHz
10000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
C ISS
1000
T A =150°C
T A =125°C
100
100
C RSS
C OSS
10
1
T A =85°C
T A =-55°C
T A =25°C
10
0
5
10
15
20
25
30
0.1
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
100
8
6
4
2
80
60
40
20
Single Pulse
R θ JA = 157 ° C/W
R θ JA (t) = R θ JA * r (t)
T J -T A = P * R θ JA(t)
0
0
2 4 6 8
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
10
0
0.00001 0.001 0.1 10 1,000
t1, Pulse Duration Time (sec)
Fig. 12 Single Pulse Maximum Power Dissipation
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMN3135LVT
Document number: DS35408 Rev. 6 - 2
4 of 6
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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